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由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在，使IGBT的开关速度（ ）电力MOSFET。

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在电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和（ ）之间来回切换。

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IGBT导通时，由P+注入区向N基区发射少数载流子，从而对漂移区（ ）进行调制，使IGBT具有很

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IGBT比VDMOSFET多一层（ ）注入区，因而形成了大面积的P+N结。

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IGBT即绝缘栅双极晶体管，是（ ）端器件。

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IGBT综合了（ ）和MOSFET的优点，具有良好的特性。

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“或”门电路是指输入信号 （ ）输入条件时，才会有输出信号。

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某电路中，两开关并联相当于一个（ ）。

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晶体管截止状态时，其电阻___

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各接地设备的接地线与接地干线相连时，应采用（ ）。

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