IGBT导通时，由P+注入区向N基区发射少数载流子，从而对漂移区（ ）进行调制，使IGBT具有很

IGBT导通时，由P+注入区向N基区发射少数载流子，从而对漂移区（ ）进行调制，使IGBT具有很

A.电导率

B.降压值

C.耐压值

D.电热率

正确答案是A