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TGZ4A-4×1680/1020型整流装置进风口最低风速不小于（ ）。

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赛雪龙BVAC.N99型真空断路器采用真空管及（ ）控制。

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赛雪龙BVAC.N99型真空断路器是（ ）断路器。

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对于单结晶体管，当发射极电压（ ）谷点电压时，单结晶体管恢复截止。

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单结晶体管因其发射极和基极个数，也被称为（ ）。

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在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR大，而且具有耐（ ）的能力。

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由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在，使IGBT的开关速度（ ）电力MOSFET。

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在电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和（ ）之间来回切换。

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IGBT导通时，由P+注入区向N基区发射少数载流子，从而对漂移区（ ）进行调制，使IGBT具有很强的通流能力。

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IGBT比VDMOSFET多一层（ ）注入区，因而形成了大面积的P+N结。

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